栈区（stack）：由编译器自动分配和释放 ，存放函数的参数值、局部变量的值等，甚至函数的调用过程都是用栈来完成。其操作方式类似于数据结构中的栈 堆区（heap） ：一般由程序员手动申请以及释放， 若程序员不释放，程序结束时可能由OS回收 。
首先给 VCC 接通 +5V 的电源，给 GND 接通 0V 的电源，使用 A0 - A9 来指定数据的存储地址，然后再把数据的值输入给 D0 - D7 的数据信号，并把 WR（write）的值置为 1，执行完这些操作后，就可以向内存 IC 写入数据了。
内存条是一个非常精密的部件，包含了上亿个电子元器件，它们很小，达到了纳米级别。这些元器件，实际上就是电路；电路的电压会变化，要么是 0V，要么是 5V，只有这两种电压。5V 是通电，用1来表示，0V 是断电，用0来表示。所以，一个元器件有2种状态，0 或者 1。
寄存器（register）。这是最快的存储区，寄存器的数量极其有限，所以寄存器由编译器根据需求进行分配，你不能直接控制。堆栈（Stack）。位于通用RAM（random-access memory，随机访问存储器）中，通过它的“堆栈指针”可以从处理器那里获得。
只读存储器 在制造时，信息（数据或程序）就被存入并永久保存。这些信息只能读出，一般不能写入，即使机器停电，这些数据也不会丢失。随机存储器 随机存储器表示既可以从中读取数据，也可以写入数据。当机器电源关闭时，存于其中的数据就会丢失。
内存条是一个非常精密的部件，包含了上亿个电子元器件，它们很小，达到了纳米级别。这些元器件，实际上就是电路；电路的电压会变化，要么是 0V，要么是 5V，只有这两种电压。5V 是通电，用1来表示，0V 是断电，用0来表示。所以，一个元器件有2种状态，0 或者 1。
首先给 VCC 接通 +5V 的电源，给 GND 接通 0V 的电源，使用 A0 - A9 来指定数据的存储地址，然后再把数据的值输入给 D0 - D7 的数据信号，并把 WR（write）的值置为 1，执行完这些操作后，就可以向内存 IC 写入数据了。
寄存器（register）。这是最快的存储区，寄存器的数量极其有限，所以寄存器由编译器根据需求进行分配，你不能直接控制。堆栈（Stack）。位于通用RAM（random-access memory，随机访问存储器）中，通过它的“堆栈指针”可以从处理器那里获得。
通俗的讲存储就是把信息以0和1的状态保存起来，用电子表现的形式是高电压和低电压，或者是开和关。在光盘里是用凹凸来表示的，当激光头射在光盘上的时候，光线经过凹凸的表面反射的光线也不一样，计算机识别后用高低不同的电压表示凹凸的表面，这样光盘的信息就转换成了电信号。
内存的存储原理 内存，英文名为RAM（Random Access Memory），全称是随机存取存储器。主要的作用就是存储代码和数据供CPU在需要的时候调用。
整型数据：所有整数（正负零）在内存中都是以补码的形式存在。对于一个正整数来说，它的补码就是它的原码本身。对于一个负整数来说，它的补码为原码取反再加1。
手机内存卡存储原理是运用闪存技术。是一种电子式可清除程序化只读存储器的形式，允许在操作中被多次擦或写的存储器。闪存的基本单元电路，与EEPROM类似，也是由双层浮空栅MOS管组成。但是第一层栅介质很薄，作为隧道氧化层。写入方法与EEPROM相同，在第二级浮空栅加以正电压，使电子进入第一级浮空栅。
闪存卡（Flash Card）是利用闪存（Flash Memory）技术达到存储电子信息的存储器，一般应用在数码相机，掌上电脑，MP3等小型数码产品中作为存储介质，所以样子小巧，有如一张卡片，所以称之为闪存卡。
内存卡储存原理 内存卡属于闪存flash类型的产品 而闪存是以单晶体管作为二进制信号的存储单元，其结构与普通的半导体晶体管非常类似，区别在于闪存的晶体管加入了“浮动栅（floating gate）”和“控制栅（Control gate）”。浮动栅用于贮存电子，表面被一层硅氧化物绝缘体所包覆，并通过电容与控制栅相耦合。
